T1 是工业纯铜中纯度最高的牌号，核心定位 “超高纯度 + 极致软态 + 顶级导电”，成分严格控制为铜含量≥99.95% ，杂质总含量≤0.05%，其中铋≤0.001%（杜绝低温脆性）、铅≤0.005%（防止热加工开裂）、氧≤0.02%（避免氢脆风险）。极低的杂质含量赋予其卓越性能：室温抗拉强度 200-240MPa，导电率≥98% IACS（接近纯铜理论极限 100% IACS），延伸率 45%-50%，布氏硬度 35-45HB，是电子工业高纯导线、真空器件电极、精密仪器导电层等对纯度与导电性要求苛刻场景的唯一选择。

超高纯度的导电与塑性机制是 T1 的核心竞争力。99.95% 以上的铜含量意味着基体中杂质原子极少，自由电子运动几乎不受杂质散射影响 ——20℃时电阻率仅 1.58×10??Ω?m，比普通纯铜 T2（1.62×10??Ω?m）低 2.5%，比黄铜低 74%。某芯片测试设备厂将 T1 制成直径 0.05mm 的高纯探针，信号传输损耗≤0.5%，远低于 T2 探针（损耗≥2%），确保芯片测试数据的精准度（误差≤0.001%）。同时，低杂质含量使 T1 具备极致软态特性：晶界无杂质偏析，位错运动阻力小，延伸率达 45% 以上，冷态变形量可超过 90%。某精密电子厂将 T1 冷轧至 0.01mm 的超薄铜箔，用于高频信号屏蔽，铜箔平整度误差≤0.002mm，无开裂或褶皱，满足 5G 设备的精密屏蔽需求（屏蔽效能≥90dB）。

耐蚀性适配高纯度场景，在干燥大气中，T1 表面快速形成极薄的Cu?O 氧化膜（厚度 1-2μm，孔隙率≤0.1%），年腐蚀速率仅 0.008mm，是 T3 纯铜（0.015mm）的 1/2；但在潮湿或酸性环境中易生成 “铜绿”（碱式碳酸铜），需通过电镀镍或涂覆有机涂层保护。某真空器件厂的 T1 电极（直径 10mm、长度 50mm），在 10??Pa 真空环境中使用 5 年，表面无氧化变色，导电性能无衰减（接触电阻稳定在 1mΩ 以内），满足真空电子管的长期稳定运行要求。

加工工艺聚焦 “纯度保护 + 软态成型”，熔炼环节是关键：采用工频感应炉，原材料选用 99.99% 的高纯电解铜，熔炼温度严格控制在 1080-1100℃（避免铜液过热导致氧化），全程通入高纯度氮气（纯度≥99.999%）隔绝空气，防止氧含量超标。热加工仅用于制作粗坯，温度 800-850℃，此时 T1 塑性达峰值（伸长率≥50%），单道次锻造变形量可达 60%，但因软态特性，热加工后需快速冷却避免晶粒长大。冷加工是主要成型方式，可实现冷轧、冷拉、深冲，道次变形量 25%-30%，无需中间退火（加工硬化速率极低）。某电线厂生产的 T1 高纯导线（直径 0.1mm），经 5 道次冷拉后，直径精度达 ±0.001mm，表面粗糙度 Ra0.2μm，符合电子工业 “超纯导线” 标准（GB/T 3956-2008 Class 1）。焊接采用氩弧焊，选用纯铜焊丝（HSCu），焊前无需预热，接头导电率达母材 95%，某精密仪器的 T1 导电连接管焊接后，在 100A 电流下运行，焊缝温升≤8K，无信号传输延迟。

应用场景集中在高纯度需求领域，除芯片测试探针、真空器件电极外，还用于标准电阻（精度 ±0.001%）、电解电容器阳极箔等。在某晶圆制造项目中，T1 制成的晶圆载台导电层（厚度 0.5mm），因纯度高、导电性优异，晶圆光刻定位误差≤0.001mm，使芯片制造良率从 92% 提升至 96%，每年为厂家增加产值超 2000 万元，充分彰显 “超高纯度 + 高导软态” 的核心价值。